基于超快相干极紫外光源的半导体量检测技术
曾志男（张江实验室）
摘要：近些年，随着光刻工艺节点越来越小，先进光刻对于新的量检测工具提出了新的需求，基于短波长、高亮度、相干极紫外（EUV）光源的量检测技术成为一个重要的研究方向。本文回顾了基于极紫外光源的量检测技术如相干衍射成像、散射量测以及瞬态光栅等的研究现状及其在先进光刻工艺中的应用前景。
关键词：极紫外；半导体；量检测；先进光刻
目录介绍
1 引言
2 EUV相干衍射成像
2.1 EUV掩模缺陷检测
2.2 相敏测量和材料元素分析
3 EUV散射量测
3.1 散射成像缺陷检测
3.2 三维结构量测
4 EUV瞬态光栅
5 总结与展望
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