面向氮化镓基发光器件的超表面研究进展

陈杨，任奎，王振昱，王睿泽（中国科学技术大学工程科学学院）

摘要：氮化镓（GaN）基发光器件作为第三代半导体光电器件的代表，在许多领域中得到广泛应用。然而，随着微型化、集成化光电系统的发展，传统的分离式光学元件已无法满足新兴应用场景对发光器件性能与集成度的要求，集成化已成为发光器件的重要发展方向。在此背景下，超表面凭借其在亚波长尺度下对光的偏振、相位和振幅等多项参数的精确操控，有效推动了GaN 基发光器件的集成化发展。聚焦于GaN 基发光器件在新兴应用场景中面临的困境，概述了超表面的调控机理，回顾了近年来通过超表面调控GaN 基发光器件的研究进展，探讨了目前面临的挑战，并对未来的发展方向进行展望。

关键词：超表面；氮化镓；激光二极管；发光二极管；微纳光子学