真空蒸馏提纯低纯度铟的影响因素研究进展

王伟豪1, 谢剑波2, 樊光娆2, 郑嘉璐1（1.西安石油大学材料科学与工程学院） （2.西安稀有金属材料研究院有限公司）

摘要: 稀散高纯铟金属(纯度≥6N5)及超高纯铟金属(纯度≥7N)是磷化铟、砷化铟等第二代化合物半导体的重要原料。真空蒸馏提纯技术是制备高纯及超高纯铟金属的关键技术之一。围绕真空蒸馏原理, 结合当前真空蒸馏技术提纯低纯度铟的研究现状, 系统综述了在真空蒸馏过程中蒸馏温度、系统压力、蒸馏时间、气流通道尺寸、装料量、有效蒸发面积等可变因子对低纯度铟提纯的影响规律, 分析了各变量对低纯度铟真空提纯效果的影响程度, 归纳了真空蒸馏技术提纯低纯度铟的最佳复合工艺, 总结了低纯度铟真空蒸馏提纯技术的难点, 以期为从事稀散金属真空蒸馏提纯研究的工程人员提供重要参考。

关键词: 低纯度铟; 真空蒸馏; 提纯; 温度; 压力