摘要：针对柔性光子晶体结构变色范围小、柔性不足的问题，基于纳米压印技术设计制备了一种具有三角形排布二维空气柱纳米结构的柔性光子晶体。通过多种试验手段分析了柔性光子晶体的力致变色性能和工作稳定性，并对其在应变感知及动态显示领域的应用进行了研究。结果表明：当对柔性光子晶体进行单轴拉伸时，随着拉伸应变的不断增大，样品颜色逐渐蓝移，反射光谱带隙中心波长变化量达到了180 nm，颜色可以覆盖整个可见光范围。同时，样品在2 000 次循环拉伸试验下表现出很好的性能稳定性。本文制备的柔性光子晶体兼具变色范围大与应变小的特征，可以弥补传统柔性应变传感器对小应变灵敏度不足的缺陷，同时可以用于实现可见光动态显示。

摘要：概述了近年来基于石英增强光声光谱（QEPAS）实现超灵敏快速痕量气体传感的关键技术及其应用。首先，讨论了不同类型声学腔与石英音叉（QTF）的耦合机制，以及它对提高QEPAS 系统灵敏度的影响。设计合适的声学腔可以有效地放大光声信号，从而提高传感器的检测灵敏度。其次，介绍了一种无需预先校准且响应速度更高的拍频石英增强光声光谱（BF-QEPAS）技术。重点阐述了定制QTF 的设计理论，以及结合定制音叉QEPAS 的一些技术突破。介绍了超灵敏快速石英增强光声传感在环境监测、医疗诊断、电力系统安全监测等领域的应用，并展望了未来超灵敏快速QEPAS技术在新型激发光源、微型化传感器等方面的发展趋势。

摘要：采用不同的温度进行了电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的挤压,并进行了显微组织、散热性能和力学性能的测试与分析。结果表明：随挤压温度从300℃提高至420℃，电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的平均晶粒尺寸和断后伸长率先减小后增大， 热导率（散热性能） 和抗拉强度则先增大后减小。当挤压温度为380℃时，Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的平均晶粒尺寸为8.2μm，断后伸长率为8.1%，分别较300℃挤压时减小了27%和14%；热导率为151 W/(m·K)，抗拉强度为282 MPa，分别较300℃挤压时增大了44%和25 MPa，此时散热性能和强度最好。电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的挤压温度优选为380℃。

摘要：聚酰亚胺（PI）作为一类主链含有π共轭酰亚胺环的高性能聚合物材料，其带隙大小是直接影响材料热稳定性、光电性能、介电性能等性能的关键因素之一，而常规PI分子结构中供电性二胺基元与吸电性二酐基元决定其带隙值处于3.0 eV附近，并直接影响其在高温储能、高频通讯、电绝缘等领域中的表现。由于PI优异的结构可设计性，PI的带隙可通过调控单体组合/链段结构/空间结构来调节，进而可以对PI的上述性能进行优化。本文根据近年来报道的PI带隙调控的主要研究进展，分别从聚合物结构和调整聚合工艺的角度阐述了PI带隙调控的主要策略，并以其在介电储能领域的应用为例，讨论了PI带隙调控中所面临的难点问题。最后，根据PI带隙调控的研究现状探讨了其未来的发展方向。

摘要：作为制备半导体晶圆的重要工序，线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例，介绍了线锯切片技术的基本理论，特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理，并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料的影响。在此基础上，综述了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工中的应用和技术进展，并分析了线锯切片技术对碳化硅晶体表面质量和损伤层的影响。最后，本文指出了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工领域面临的挑战与未来的发展方向。

摘要：化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP 终点检测技术通过实时测量晶圆表面薄膜的厚度以实现抛光压力的动态分区调节，从而精确控制晶圆表面形貌及材料去除率，对于确保抛光质量和均匀性至关重要。系统综述了CMP 终点检测技术的研究现状，重点分析了离线检测方法（时间法）与在线检测方法（摩擦力法、光学法、电涡流法）的基本原理、技术特点及前沿进展。根据检测精度、多材料适用性和成本等指标对不同终点检测技术进行了综合评价，揭示了其在CMP 工艺中的适用性及局限性。最后，为了满足先进制程对检测精度和可靠性的苛刻需求，探讨了终点检测技术在多物理信号融合、智能监测算法、设备集成化和低成本设计等方面的发展方向。

摘要：聚焦溶液印刷工艺制备薄膜晶体管（TFT）技术，综述了近年来印刷TFT 材料与器件研究成果。TFT 是平板显示器件的核心共有技术，决定了平板显示器的显示效果与显示质量。从TFT 器件中的材料及工艺出发，分别介绍可印刷的导电材料、半导体材料和绝缘层材料，以及印刷制备TFT 技术的发展现状。要实现印刷TFT 技术的商业应用，还面临着诸如可印刷的高性能墨水材料开发、高均匀性薄膜印刷沉积工艺、较低的接触电阻、印刷TFT 集成制备技术，以及如何实现印刷TFT 在偏压、光辐照、温度等条件下的长期稳定性等问题。提出了随着新材料的进一步开发和印刷技术的发展，印刷技术将为实现低成本制造TFT 提供一条有前景的途径。

摘要：高可靠电子封装基板多通过镀Au进行表面修饰，形成保护层，从而避免表面导体的氧化和腐蚀。介绍了化学镀镍/浸金(ENIG)和化学镀镍/钯/浸金(ENEPIG)这两个主流镀金工艺，探讨了相应镀Au基板变色、氧化、腐蚀等问题的特征、过程和机理。Ni/Au 镀层腐蚀主要与Ni–Au扩散、Ni–P腐蚀、杂质腐蚀等因素有关；Ni/Pd/Au镀层的腐蚀主要由Au层缺陷、镀层剥离、有机污染等原因导致。归纳了镀Au基板的两类腐蚀模型：一类是干热条件下即可完成的氧化腐蚀，另一类是电解质溶液环境中发生的原电池腐蚀。

摘要：随着半导体电子器件的集成化与小型化发展，金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求，需对金刚石表面进行抛光处理。然而，金刚石高硬度、高耐磨性、高化学惰性的特点，使金刚石的加工面临诸多困难，现有的金刚石抛光技术都有一定的自身优势和不足，急需一种在保证效率的情况下，同时获得光滑、平整、低损伤的金刚石表面抛光技术。因此，本文对金刚石抛光技术的国内外相关文献进行了梳理，总结了机械抛光、热化学抛光、化学机械抛光、等离子体刻蚀抛光、激光抛光等技术的原理与优缺点，对未来金刚石抛光技术来说，应朝着多种技术相互搭配以及智能化、精密化、环保化的方向发展，进而拓展金刚石材料的应用范围。

摘要：电子材料是用于制造电子器件、集成电路、光电子设备、其他电子系统的关键功能材料，在半导体、显示技术、通信、能源存储与转换等领域具有广泛应用，也成为人工智能、物联网、先进传感、量子计算等前沿科技领域发展的关键支撑；关键电子材料技术的创新发展直接影响电子产业链的技术进步和市场竞争力，在国际科技竞争趋于激烈的背景下已经成为支撑国家战略性新兴产业发展的核心要素。本文全面梳理了全球关键电子材料应用进展情况，涉及集成电路、显示技术、光伏新能源、高端电容／电阻、通信技术等产业，涵盖半导体硅材料、电子特气、光刻胶、湿电子化学品、化学机械抛光材料、第三代半导体材料，液晶显示用材料、有机发光二极管材料、激光显示材料、微发光二极管材料、次毫米发光二极管材料，晶硅太阳能电池材料、钙钛矿太阳能电池材料、有机太阳能电池材料，介电陶瓷材料、聚合物薄膜材料、铝箔材料、导电聚合物材料、电极浆料，光导纤维材料、压电晶体材料等细分类型。研究认为，智能移动设备、智能穿戴、物联网等新兴技术快速发展，对电子材料的性能、可靠性、精度等提出了更高要求；我国高端电子材料与国际领先水平相比仍有差距，表现为高端材料技术自主性不足、国际影响力与标准制定权较弱等；未来需围绕电子信息行业高端化、绿色化、自主化、智能化的发展方向，攻关集成电路、新型显示、高端电容／电阻、未来通信行业的高端电子材料并逐步实现国产化替代，推动我国关键电子材料技术与产业高质量发展。