第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

摘要:近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。

响应型柔性材料系统的向光性驱动

摘要:光响应材料在光刺激下能改变自身的物理或化学性质,因其对电磁波多自由度的高敏感、多维度响应能力,在与传感、驱动相关的多种应用领域中备受关注. 近年来,基于光响应软材料的光驱动系统逐渐完成了从简单的感知、受激作动到持续自主反馈控制的进化,这意味着柔性材料在受到刺激发生形态变化的基础上,逐步具备接受和转化能量的能力,进而实现自主驱动. 一系列基于柔性光响应材料的软体作动系统对与方向实时改变的光源、热源、声源等能量源,表现出方向识别与准确跟踪的能力. 这种“向光性”“趋光性”实现的难点在于让光响应柔性材料识别刺激源的方向并向其作动、在对准方向时停止作动,在受外部扰动、方向失准时自主向光调整,从而在一定程度上体现类似动、植物的自主性.因此,对近年来光响应材料在传感、驱动及自适应调节领域的研究进展进行综述,总结了柔性材料作动从响应型到自控型的发展历程,从传感、驱动、反馈三个组成循环的关键过程剖析其能量转化、传递过程中的物理、化学机制,并展望自控制光响应材料系统在仿生驱动器和软体机器人等研究领域的发展方向与潜力.

大尺寸有机基板的材料设计与封装翘曲控制

摘要:倒装芯片球栅阵列(FCBGA) 基板具有尺寸大、层数多等特点,可以满足大尺寸芯片超高速运算的需求。随着芯片尺寸的增大,有机基板的翘曲问题变得更加突出,因此,需要对有机基板材料在热膨胀系数(CTE)、模量、树脂收缩率、应力控制等方面进行升级。对FCBGA基板使用的大尺寸有机基板材料进行研究,重点研究其关键性能参数,如CTE、模量和树脂收缩率等,进一步探讨了对树脂基体、无机填料和玻璃纤维布等材料的选择以及生产制造过程中的应力控制,并对大尺寸有机基板材料技术的发展趋势进行了展望。

聚乙炔导电材料的研究进展

摘要:聚乙炔(polyacetylene,PA) 是首个被发现的导电聚合物,其衍生物在有机电子领域一直占据重要地位。为了弥补PA 在应用中存在的稳定性差与导电性低的缺陷,近年来研究人员创造了许多共聚、催化的新方法和改性手段,有效降低了其在空气中的降解速率,使其热稳定性得到了显著提高(其分解温度由80℃ 提高到了150℃)。同时,掺杂体系从传统的无机掺杂体系拓展到新型有机-无机掺杂体系,将掺杂聚乙炔的电导率由1.7×10−9 S/cm提高到了1.8×103 S/cm,使其后续在新能源电池材料、智能穿戴、机器人传感等领域的应用具有广阔的市场前景。

蓝宝石化学机械抛光液的研究进展

摘要:简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH 调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP 体系的研究进展,展望了蓝宝石CMP 体系未来的研究方向。

穿戴电子可拉伸材料的制备与应用

摘要:可拉伸材料的出现解决了智能设备的刚性问题,使得智能设备能够实现柔弹性。综述了超薄材料、织物以及生物可降解材料等可拉伸材料的最新研究进展与发展方向,包括超薄材料、织物材料、生物可降解材料等;介绍了可拉伸材料在可拉伸电极、储能设备及晶体管传感器等方面的应用;指出可拉伸材料存在材料导电性和拉伸性的平衡问题、可拉伸电极的不透气性和舒适度较差问题,探讨了其未来发展的机遇与面临的挑战。

电镀铜技术在电子材料中的应用

摘要:电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点,因此,电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域。本文概括了几种常用电镀铜体系的特点,重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用。简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路(ULSI)铜互连领域的应用,并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术,包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述。

电子束光刻设备发展现状及展望

摘要:电子束光刻设备在高精度掩模制备、原型器件开发、小批量生产以及基础研究中有着不可替代的作用。在国外高端电子束光刻设备禁运的条件下,中国迫切需要实现高端国产化设备的突破。介绍了电子束光刻设备发展历程,列举了当前活跃在科研和产业界的3种设备(高斯束、变形束、多束)的主要厂商及其最新设备性能,并概括了国产化电子束光刻设备发展现状。通过国内外电子束光刻设备性能的对比,总结了国产化研发需要解决的关键性难题。其中,着重介绍了高端高斯电子束光刻设备国产化需要面临的技术挑战:热场发射电子枪、高加速电压、高频图形发生器、极高精度的激光干涉仪检测技术及高精度电子束偏转补偿技术。

微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺

摘要:针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求,介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡,得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。