我国半导体硅片发展现状与展望

摘要：硅片是半导体关键的基础材料，我国半导体硅片对外依存度较高，增强硅片的自主保障能力，对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8in、12in硅片，分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状，研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势，重点分析了我国半导体硅片的发展现状，指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇，同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战，在此基础上，从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议，以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。

光电 2024年03月05日 1 点赞 0 评论 392 浏览

晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展

摘要：随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED 显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量（百万数量级）、小尺寸（

光电 2024年03月05日 1 点赞 0 评论 378 浏览

集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展

摘要：集成电路互连微纳米尺度硅通孔（TSV） 技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV 结构，2.5D/3D 集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时，采用纳米TSV 技术实现集成电路背面供电，可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题，提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新，微纳米尺度TSV 技术在一些领域取得了显著进展，为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV 技术，并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结，同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。

光电 2025年11月26日 1 点赞 0 评论 241 浏览

摩擦纳米发电机输出性能提升策略的研究进展

摘要：摩擦纳米发电机(TENG) 是一类能将机械能转换为电能的电子设备，具有材料种类丰富、器件结构简单以及易于集成等特点，在蓝色能源收集、微/纳能源、自驱动传感等方面展示出广泛的应用前景。然而，如何提高TENG 的输出性能一直是科学界关注的焦点。基于此，本文在查阅大量文献的基础上，从TENG 的工作原理出发，分析了摩擦电材料、摩擦层结构和器件结构对TENG 输出性能的影响，并总结了提升TENG输出性能的有效策略，最后对TENG 今后的发展趋势进行了展望。

光电 2026年01月17日 1 点赞 0 评论 211 浏览

无线输能超表面技术研究进展

摘要：随着无线通信与人工智能技术的发展，小型移动设备的数量正在急剧增加，传统有线电力供应模式已不能满足人们对便携性和移动性的需求。射频与微波无线输能技术能够摆脱有线能源的限制，在无线设备中具有巨大的应用潜力。综述了超表面技术的关键热点，介绍了无线输能融合无线通信、无线传感、可重构智能超表面和目标识别与定位等技术的研究进展。超表面具备独特的电磁参量调控能力和二维紧凑可共形等优势，有望在射频与微波无线输能领域起到关键作用。无线输能超表面技术的关键热点主要包括无线电力传输、无线能量收集、同步无线信息与电力传输和可重构无线输能技术等。在无线输能系统中，超表面可以在发射端生成能量波束，在传输路径中增强耦合谐振，还可以在接收端提高交直流转换效率。

光电 2026年02月14日 1 点赞 0 评论 226 浏览

2025年电催化合成科技热点回眸

摘要：在全球绿色低碳转型的背景下，电催化合成技术利用可再生电能驱动化学反应，为温和条件下直接合成化学品提供了极具前景的路径。该技术通过精准调控电极电位来实现高选择性合成，兼具原子经济性与低碳排放优势，正成为连接可再生能源与未来智能制造的关键枢纽。基于“双碳”目标，综述了电催化合成领域的重要进展，在无机分子转化方面，聚焦CO2 还原的界面微环境工程与电解槽设计、氮还原新型催化剂与机制探索，以及高效稳定电解水制氢催化剂的开发；在有机电合成方面，涵盖了通过电位调控实现芳基卤化物精准合成、氨基酸绿色电合成，以及塑料废弃物与生物质分子升级回收等机制创新与工艺强化。电催化合成技术的协同发展为实现“双碳”目标提供了坚实支撑，并为后续电催化合成的研究方向提供相应参考。

光电 2026年03月17日 1 点赞 0 评论 149 浏览

大尺寸CsPbBr3晶体的熔体法生长研究进展

摘要:由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr3吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr3晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影响其性能。目前大尺寸高质量CsPbBr3晶体仍然无法通过有效的手段进行批量化生产,因此开展大尺寸CsPbBr3晶体的生长与性能研究具有重大理论意义和实际价值。本文简要综述了CsPbBr3晶体的基本性质、制备方法及研究进展,主要讨论了垂直布里奇曼法生长CsPbBr3晶体的影响因素,并对高质量CsPbBr3晶体的生长提出了新的思路。

光电 2026年04月09日 1 点赞 0 评论 138 浏览

高速光子晶体面发射激光器研究进展

摘要： 光子晶体面发射激光器（PCSEL）利用二维光子晶体光栅的布拉格共振实现面发射激光，具有其独特的优势，包括单模性能、在片测试、高功率、低发散角等。相比垂直腔面发射激光器（VCSEL），PCSEL有将近两倍的有源区光限制因子，展现出高速运行的潜力。本文探讨了PCSEL的基本结构和工作原理，并详细分析了影响PCSEL激光器实现高速性能的关键因素。随后，文章系统地介绍了近年来研究者们为实现PCSEL高速性能所做的努力，重点聚焦于通过增强PCSEL的面内限制来缩小激光腔，并提供了相关的研究方向和指导。

光电 2025年02月21日 1 点赞 0 评论 270 浏览

AI浪潮下的信息技术光电融合

摘要：人工智能（AI）有望催生第四次工业革命，凸显我国信息技术自主发展的紧迫性和重要性。光电融合为AI 发展提升硬件支撑能力，是领域内需要重点发展的新质生产力技术。本文分析了光电融合的重要意义，总结了光电融合的内涵、演进路径，并介绍了相关技术的研究进展，剖析了AI 浪潮下信息技术光电融合发展面临的机遇和挑战。光电融合是AI 基础设施发展的内在要求，AI 赋能可有效促进光电融合技术进步与突破。研究建议，善用AI 促进光电融合技术攻关、实施光电融合重大创新工程、营造充满活力的光电融合创新生态、培育和壮大有国际竞争力的光电融合创新主体，多措并举协同发力，把握住AI浪潮下信息硬件技术变轨机遇，有效提升我国信息科技自主发展能力。

光电 2026年06月18日 1 点赞 0 评论 714 浏览

基于全介质超表面的液晶空间光调制器

摘要：传统的液晶空间光调制器依靠光在液晶层中的传播相位积累实现相位调制，需要较大的盒厚以满足所需的相位延迟量，进而导致响应速度受限，并制约器件的小型化与高密度集成。提出一种基于非晶硅超表面的反射式空间光调制器，采用步进式光刻技术在8 inch（1 inch=2.54 cm）晶圆上制备幅面为0.37 inch 的超表面，并将其对位集成于一维阵列电极之上。该设计将主要相位调制机理从传统的液晶传播相位累积转移至超表面的共振相位调控，从而减少对液晶层厚度的依赖。利用米氏共振效应提供初始相位覆盖，液晶层仅需产生微小的折射率扰动即可实现全相位调制，从而将液晶盒厚度压缩至1 μm。实验结果表明，该器件在1550 nm 工作波长下的连续相位调制摆幅达到2.46π，实现全相位调制，光束扫描角可达34°。该方案验证基于共振相位调制的超表面空间光调制器的可行性，为提高液晶器件响应速度与推动其小型化提供一条有效的技术路径。

光电 2026年09月10日 1 点赞 0 评论 72 浏览