列表

电器散热片用新型镁合金的挤压温度优化

电器散热片用新型镁合金的挤压温度优化

摘要：采用不同的温度进行了电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的挤压,并进行了显微组织、散热性能和力学性能的测试与分析。结果表明：随挤压温度从300℃提高至420℃，电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的平均晶粒尺寸和断后伸长率先减小后增大， 热导率（散热性能） 和抗拉强度则先增大后减小。当挤压温度为380℃时，Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的平均晶粒尺寸为8.2μm，断后伸长率为8.1%，分别较300℃挤压时减小了27%和14%；热导率为151 W/(m·K)，抗拉强度为282 MPa，分别较300℃挤压时增大了44%和25 MPa，此时散热性能和强度最好。电器散热片用Mg-Al-Zn-Cu-In镁合金的挤压温度优选为380℃。
光电 2024年04月28日
镍基电极材料在超级电容器中的制备与应用

镍基电极材料在超级电容器中的制备与应用

摘要：Ni因其价格低廉和对环境友好，被视为具有发展潜力的超级电容器电极材料之一；且它与其他电极材料复合可以有效阻止团聚反应的发生，能大大改善材料的电化学性能。近年来Ni的（氢）氧化物与碳材料、聚合物等复合制备新的电极材料已经成为储能领域研究的热点。介绍了Ni的化合物作为电极材料储能的机制以及在复合电极材料中的应用，综述了近年来国内外报道的各类镍基复合电极材料的研究进展，并对其今后的发展趋势进行了展望。
光电 2024年04月28日
引线框架用铜带产品现状及研发进展

引线框架用铜带产品现状及研发进展

摘要: 文章综合论述了电子引线框架铜带产品的现状，分析了国内产品普遍存在的质量问题及解决方向，指出了新一代及新型框架铜带的研发进展。
光电 2024年04月28日
纳米金属氧簇EUV光刻胶及其性能影响因素

纳米金属氧簇EUV光刻胶及其性能影响因素

摘要:随着半导体行业的发展, 先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路). 在集成电路光刻技术(photolithography, 亦称微影技术)中, 图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长. 为将图形化尺寸推到更小的极限, 曝光光源的波长从紫外发展到极紫外. 近年来, 波长为13.5 nm的极紫外光(extreme ultraviolet, EUV)成为新一代光刻技术的光源, 是实现10 nm及以下制程的关键因素. 除光源和光刻机外,光刻胶(photoresist, 亦称光阻)也是决定图案化特征尺寸的重要因素, 其关键性能指标包括分辨率、灵敏度、线边缘粗糙度和线宽粗糙度等. 目前适配于EUV光源的光刻胶主要有聚合物、分子玻璃和金属基材料等几类, 其中,纳米金属氧簇EUV光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和低粗糙度等性能, 成为半导体集成电路行业的研究热点.本文主要介绍近年来纳米金属氧簇EUV光刻胶体系的组成、结构特征及其性能影响因素, 采用多种表征手段,从分辨率、灵敏度和粗糙度等角度阐述光刻胶成分结构及环境因素对光刻过程及图案形成的影响, 多层次了解其光刻机理及性能平衡策略.
光电 2025年08月31日
LED封装基板研究新进展

LED封装基板研究新进展

摘要：基板散热是LED散热的最主要途径，其散热能力直接影响到LED 器件的性能和可靠性。总结了LED封装基板材料的性能，综述了金属基板、陶瓷基板、硅基板和新型复合材料基板的研究进展，展望了功率型LED封装基板的应用和发展趋势。综合表明，MCPCB, DBC, DAB, DPC 等基板各具优势，但DPC基板各种制备工艺参数合适，特别是铝碳化硅基板(Al/SiC)有着低原料成本、高导热、低密度和良好可塑性的显著优势，有望大面积推广应用。
光电 2024年04月28日
集成电路引线框架用铜合金研究现状

集成电路引线框架用铜合金研究现状

摘要：中国电子信息产业发展迅速，集成电路已成为国民经济建设的重要基础产业之一。本文综述了集成电路引线框架用铜合金的发展现状， 梳理了引线框架用Cu-Fe-P，Cu-Cr-Zr，Cu-Ni-Si等合金体系的特性及多元微合金化对铜合金组织和性能的影响， 阐述了引线框架用铜合金带材的制备加工方法， 介绍了以水平连铸为核心的短流程生产新工艺的特点， 并展望了中国集成电路引线框架用铜合金的发展前景和方向。
光电 2025年05月13日
晶圆键合设备对准和传送机构研究综述

晶圆键合设备对准和传送机构研究综述

摘要：随着微机电系统和3D集成封装的快速发展，多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器件的量产起着至关重要的作用，因此对晶圆键合设备及其对准机构和传送机构的研究也十分重要。介绍了常用的晶圆键合设备与晶圆键合工艺、对准机构和传送机构的工作原理以及主要的晶圆键合设备厂商现状，同时对晶圆键合设备对准和传送机构的发展趋势进行展望，其未来将朝着高精度、高对准速度、高吸附度和高可靠性的方向发展。
光电 2025年12月01日
量子点LED显示研究进展：材料、封装涂层、 图案化显示应用

量子点LED显示研究进展：材料、封装涂层、 图案化显示应用

摘要：量子点（Quantum Dot， QD）作为一种新型发光材料，具有发光光谱窄、激发光谱宽、量子产率高及可溶液制备等优点，其制成的发光二极管（Light-emitting diode， LED）器件通过色转换过程可实现红、蓝及绿波段较窄的发射半波峰（
光电 2024年01月22日
TO-252 8R引线框架精密级进模设计

TO-252 8R引线框架精密级进模设计

摘要：根据引线框架的结构特点和生产要求，分析了引线框架冲压成形工艺，设计了精密级进模，并介绍了模具结构及关键零件的设计。经实际生产验证，模具设计可靠，避免了生产问题及成形零件缺陷的产生，为高品质、高效率生产提供保障。
光电 2024年04月28日
热电转换器件的研究进展与挑战

热电转换器件的研究进展与挑战

摘要: 热电转换器件作为能实现电能与热能直接相互转换的功能器件, 在工业废热回收利用、深空深海电源、半导体制冷、双向精确控温等领域具有重要应用。综述了6 类热电转换器件的拓扑结构设计、连接界面控制、集成制造和热电转换性能提升策略等方面的研究进展, 内容包含基于块体热电材料的低温、中温和高温单级热电转换器件以及低-中温级联热电转换器件, 基于热电磁能源转换材料的热电磁全固态制冷器件, 以及基于人造倾斜结构复合材料的横向热电转换器件。同时, 简要评述了热电转换器件研究目前面临的诸多挑战, 如热电发电应用存在异质界面失稳、热电制冷应用存在材料加工和器件集成困难等。
光电 2024年04月28日