光伏切割用钨丝金刚线市场应用
摘要: 碳钢金刚线线径的理论极限约30μm，产业化极限约35～36μm。钨丝金刚线优势是韧性好、强度高、不易断线，产业化极限能到24～25μm，断线率约3%。折合硅片单片线耗由1.5m降低到0.5m。与碳钢金刚线相比，目前钨丝金刚线的性价比还不够高，不具备大规模应用优势。主要发展方向一方面是增加产能，另一方面是和碳钢金刚线拉开线径差。
高熵合金的腐蚀行为及机理研究进展
摘要：高熵合金凭借其优异的综合性能在极端服役环境中展现出重要的应用前景，其中耐蚀性是决定其服役寿命与可靠性的关键因素。综述了高熵合金腐蚀行为及机理的研究进展，其中，重点阐述了合金元素组成与原子比调控对腐蚀性能的影响，并讨论了热处理、轧制等热机械加工过程对微观组织及钝化膜特性的调控作用。研究表明，成分设计与工艺优化能够显著改变合金的腐蚀响应与钝化行为，从而影响其耐蚀性能。未来的研究仍需深入揭示局部腐蚀机理与钝化膜演变过程，结合机器学习和多尺度模拟开展智能化设计，同时建立兼顾力学性能、耐蚀性与成本效益的综合性能评价体系。
高熵高温合金的研究进展
摘要:高熵高温合金作为金属结构材料领域的研究热点,因其在极端环境下的潜在应用价值受到广泛关注。系统阐述了高熵高温合金的组成特征与微观结构设计:在元素组成方面,采用等原子比或近等原子比的多元组分配比构建高熵体系;在组织结构方面,通过面心立方固溶体基体与有序析出相的协同作用实现性能优化。研究显示,HESA在宽温域(20~1200℃)内均能保持优异的强塑性匹配,其力学性能稳定性源于多尺度强化机制的协同作用,包括固溶原子引起的晶格畸变强化、纳米级有序析出相带来的第二相强化,以及晶界工程调控实现的晶界强化。最后对高熵高温合金的研究应用前景进行了展望。
我国镍钴锂钒产业链发展现状、问题与对策研究
摘要：镍、钴、锂、钒是支撑我国新能源产业发展的关键矿产，当前面临资源短缺、禀赋条件差与高质利用技术瓶颈三重挑战，亟需推动产业链高质量发展。为明晰镍、钴、锂、钒产业链的发展态势，本文系统分析了镍、钴、锂、钒的全球资源分布格局、“采选冶”及回收利用技术发展现状，总结了我国镍、钴、锂、钒产业链发展的优势与存在的短板，提出了今后发展的重点任务与对策建议。研究发现，我国虽已构建了全球最完备的镍、钴、锂、钒产业链，但仍存在上游资源保障风险突出、对外依存度高、高端材料技术竞争力不足等挑战。为此，本文提出了面向2035 年的镍、钴、锂、钒资源保障路径与重点任务，包括构建矿产基因数据库、突破资源综合利用技术、研发高质材料技术及产品、建设绿色循环利用体系和打造全链条创新平台。最后，为推动产业链的稳健发展，本文对镍、钴、锂、钒产业链提出了针对性对策建议，以期为我国新能源产业的高质量与可持续发展提供坚实的资源保障。
高熵合金增材制造技术及组织性能研究进展
摘要：高熵合金凭借独特的多主元设计展现出优异性能，在航空航天、能源电力、海洋工程等领域极具应用潜力。然而，传统制备工艺存在的成分均匀性差、裂纹敏感性高和成本高昂等问题，限制了高熵合金的工业应用。金属增材制造技术凭借逐层制造、设计自由度高和快速冷却等优势，为高熵合金复杂结构制备开辟了新路径。本文综述了高熵合金增材制造技术的研究进展，详细阐述基于激光、电弧和黏结剂为主的金属增材制造技术在高熵合金制备中的应用，深入探讨三种金属增材制造技术对高熵合金微观组织、力学性能和耐腐蚀性能的影响。不同金属增材制造技术及工艺参数、热处理条件对高熵合金组织性能影响各异，通过优化工艺和施加后处理技术，可有效调控其微观组织结构与服役性能，为高熵合金在更多领域的实际应用提供理论支持与技术参考。
钒电解液的工业化制备技术分析
摘要: 钒电解液是全钒液流电池的核心组成部分和储能载体。目前钒电解液制备产业化进程正处于实验室研究、中试向大规模工业化生产过渡的的探索阶段。本文从钒电解液的物化性质和制备原理出发,详细介绍了3种典型钒电解液制备工艺流程,即化学还原-电解还原、萃取-电解还原和还原焙烧-直接酸溶,并对这3种工艺流程的优缺点进行比较分析。最后对近5年(2020—2024)有代表性的大规模钒电解液制备工业项目进行统计,介绍了这些项目采用的工艺技术路线,可为钒电解液工业化制备项目工艺选择提供借鉴参考。
钨基合金靶材的粉末冶金制备工艺及其磁控溅射薄膜的研究进展
摘要：具有高密度、高纯度、高熔点及优异机械性能的钨基合金靶材在磁控溅射应用领域具有重要的应用价值。制备方法包括粉末冶金、熔炼等，其中粉末冶金法以较好的成分均匀性和细密的显微结构广受关注。磁控溅射作为一种先进的薄膜沉积技术，因其高效性和精确控制能力，被广泛用于钨基合金薄膜的制备。以钨基合金靶材为原材料，通过磁控溅射的方法制备的W-Mo、W-Cu、W-Ti、W-B 等薄膜，目前已广泛应用于电子器件、机械加工和等离子体物理研究等多个领域。本文首先介绍了粉末冶金钨基靶材的主要制备方法，如热压、热等静压、放电等离子烧结技术等; 然后，介绍了钨基合金靶材磁控溅射薄膜在无扩散屏障材料、超导材料、面向等离子体材料以及硬质涂层材料等领域的应用，并对其抗扩散性能、摩擦磨损性能以及其抗腐蚀氧化性能进行了介绍与分析。最后，展望了钨基合金靶材在未来在各个领域中的广阔应用前景。
AgCu系电接触材料研究进展
摘要：银铜系电接触材料作为银基电接触材料的一大重要门类在电接触材料行业中因其卓越的电导率、耐磨性、抗熔焊性和广泛应用而占据重要地位。本文对AgCuNi、AgCuV、AgCuO 合金系列以及AgCu/LSCO 等银铜系电接触材料的性能特点、制备工艺和研究现状进行了归纳和阐述。分析了银铜系电接触材料研究中存在的问题，并展望了发展趋势。
先进制程芯片用超高纯钽靶制备工艺研究进展
摘要：通过物理气相沉积（physical vapor deposition，PVD）制备的Ta/TaN层具有优异的抗Cu-Si扩散性与良好的接触电阻等特性，随着半导体先进制程芯片的发展，其成为了扩散阻挡层的最佳选择。然而，作为PVD的重要原料- 磁控溅射超高纯Ta靶往往会因晶粒尺寸、织构梯度均匀性的问题，极大地影响沉积薄膜厚度的均匀性，从而影响先进制程芯片良率。因此，结合先进制程芯片的特殊应用环境，本文简述了集成电路用PVD工艺过程与先进制程对Ta靶的应用需求，并综述了近些年集成电路用超高纯Ta常用提纯与晶粒、织构控制工艺的研究进展，包括Ta粉提纯、电子束熔炼、锻造、轧制、再结晶退火工艺以及加工对最终Ta靶溅射性能的影响，针对各类工艺对Ta晶粒、织构的影响进行了阐述。最后，对磁控溅射超高纯Ta靶在先进制程芯片的应用现状与制备工艺难点进行了总结和展望，指出领域内新出现的更具高经济性与材料利用率的超高寿命高厚度（0.65英寸，1英寸=25.4 mm）Ta靶，以及对超高纯Ta形变热处理工艺研发与优化的迫切需求。
