摘要：随着可穿戴电子器件的应用普及，柔性电子器件已经成为当前研究的热点。柔性电致变色器件因具有绿色环保、低成本、可大面积、适应性强和生产运输方便等优良特性，在新型智能显示、建筑智能窗、汽车后视镜、智能眼镜、可穿戴设备和军事伪装等众多领域得到广泛应用。从柔性电致变色结构出发，讨论了柔性衬底、电极材料、电致变色材料和电解质材料等功能层，指出了提升柔性电致变色器件性能的关键，明确了器件材料与结构的关系，指出其当前存在的问题并对未来的发展趋势做出展望。

摘要：[目的]电子器件微型化与高性能化对铜镀层提出了严苛要求，传统电镀铜与化学镀铜工艺在沉积效率、镀层均匀性及综合性能方面都面临挑战。[方法]综述了磁场与超声波这两种物理场辅助技术在沉铜技术中的应用研究进展。探讨了两种物理场对离子传输、界面反应、结晶过程及镀层微观结构的调控机制。[结果]磁场主要通过磁流体动力学(MHD)效应有效强化传质、细化晶粒并改善镀层均匀性，甚至可实现微观结构的定向生长。超声波则凭借其空化效应与微射流作用，显著提高沉积速率、镀层致密性与结合力，并有效促进复合镀层中纳米颗粒的均匀分散。两种方法都能克服传统工艺的某些固有缺点。[结论]磁场与超声波辅助技术是提升沉铜镀层性能的有效途径，具有绿色、高效的特点，应用前景广阔。

摘要：受益于液态金属优异的导热和流动性能，液态金属对流冷却为电子器件和设备的高热流密度热管理难题提供了新的解决方案。介绍了液态金属对流的传热和流动特性，相比于传统工质，液态金属的高热导率使得对流的总体热阻更低，因此产生更好的传热效果。总结了基于液态金属对流的驱动技术、复合式冷却技术和强化冷却技术的相关研究进展，简述了液态金属对流在电子设备冷却领域的应用现状，并展望了液态金属对流冷却的发展前景。

摘要：三维石墨烯晶体膜具有高晶体质量、大比表面积和高导电性，成为理想的碳基超级电容器的电极材料。然而，传统石墨烯电极材料受限于表面活性位点数量和宏观尺度下的电化学体积效应，难以达到理论性能。为此，重点介绍通过高能束流（如CO2 激光和高能电子束）诱导技术制备宏观厚度的三维石墨烯晶体膜，并探讨其修饰与复合方法。在此基础上，详细阐述CO2 激光和高能电子束制备三维石墨烯晶体膜的基本原理及其可控制备策略。采用CO2 激光，通过调节激光参数和前驱体材料，能够实现石墨烯晶体膜的厚度调控和结构优化。高能电子束具有高穿透力和低反射特性，能够在宏观尺度下制备均匀的三维石墨烯薄膜。此外，还介绍了通过非金属原子掺杂、金属氧化物和导电聚合物复合等方法，进一步提升三维石墨烯晶体膜的电化学性能等方面的研究内容。在超级电容器应用中，三维石墨烯晶体膜表现出优异的体积比电容和循环稳定性，具有广阔的应用前景。然而，随着厚度的增加，三维石墨烯晶体膜的体积效应和离子传输效率等问题仍需解决，提出通过构筑梯度孔道和优化孔隙结构来增强离子传输能力的解决方案。最后展望了三维石墨烯晶体膜在商用超级电容器中规模化应用的机遇与挑战。

摘要：简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理，从磨料、pH 调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP 体系的研究进展，展望了蓝宝石CMP 体系未来的研究方向。

摘要：作为新一代超宽禁带半导体材料，单晶金刚石（SCD）凭借其优异的物理特性（禁带宽度5.5 eV，击穿场强9.9 MV/cm，热导率22 W/(cm·K)），被视为突破硅基集成电路性能极限的理想材料。然而，其极高硬度（莫氏硬度10）和极强化学惰性使其表面加工面临重大挑战，特别是晶圆级平坦化技术已成为制约金刚石集成电路发展的关键瓶颈。聚焦集成电路制造需求，系统评述了单晶金刚石抛光技术的最新进展，重点分析了机械类、高能束和多场耦合三大类抛光方法的材料去除机理、影响因素及局限性。机械类抛光（如机械抛光和超声波辅助抛光等）工艺过程简单，但硬对硬摩擦易引入表面损伤，难以实现亚纳米级抛光；高能束抛光（如激光抛光、离子束抛光和等离子体抛光等）利用高能粒子代替磨粒来抛光，这类抛光存在选择性差、热影响区深、高能粒子注入等问题，难以实现低亚表面损伤及亚纳米级平坦化；多场耦合抛光（如化学机械抛光和等离子体辅助抛光等）通过场间耦合效应实现表面平坦化，但抛光工艺复杂且速率较低。尽管现有技术在不同应用场景中取得了一定进展，但仍无法完全满足亚纳米级精度、低损伤、高速率的抛光需求。未来的研究应致力于开发新型抛光技术，结合多种抛光方法的优势，推动单晶金刚石在高端芯片制造领域的广泛应用。

摘要：人工智能（AI）芯片是支撑智能技术发展的核心硬件，其技术进步对国家科技创新、产业发展、经济增长具有重要意义。本文从云端智能芯片、边端智能芯片、类脑智能芯片3个方面总结了AI 芯片的国际发展趋势，分析了我国AI芯片的应用需求，从芯片设计、制造、封装、测试等方面梳理了相关产业与技术的发展现状及趋势。当前，国产AI芯片的性能、技术、产业链存在短板，亟需开展自主创新与产业协同；国产AI芯片开发面临高成本、长周期的挑战，亟需平衡融资压力并积累发展经验；国内AI芯片领域人才短缺，亟需提高培育质量并控制流失率。为此，论证提出了我国AI芯片的发展路径，即突破技术瓶颈、加速产业化、拓展国际化、实施市场扶持，重点采取技术创新和重点项目建设、新型芯片架构和开源产业生态建设、技术标准体系制定、“产教研”融合等举措，以推动我国AI芯片产业可持续和高质量发展。

摘要：以大模型为核心的新一代人工智能生成内容（AIGC）技术（以下简称生成式人工智能技术）正代表着AI 技术新的发展方向，而当前对于大模型的发展共识（即堆积算力和高质量数据可以继续创造“奇迹”）同时也促使人工智能科技创新转入“万卡”时代。由AI 芯片所构筑的算力“护城河”成为支撑AI 迈向通用人工智能（AGI）的必备需求。为研判我国AI 芯片技术创新的发展态势，本文对我国专利数据进行了检索和分析，梳理和描绘了AI 芯片技术的创新现状与趋势，并探索构建了代表性创新主体的创新潜力专利评估因子，以期形成对未来发展势能的理解与判断。最后，基于专利数据解读和分析，形成了助推我国AI 芯片创新发展的有关建议。

摘要：低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC）封装能将不同种类的芯片等元器件组装集成于同一封装体内以实现系统的某些功能，是实现系统小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。总结了LTCC基板所采用的封装方式，阐述了LTCC基板的金属外壳封装、针栅阵列（Pin Grid Array, PGA）封装、焊球阵列（Ball Grid Array, BGA）封装、穿墙无引脚封装、四面引脚扁平（Quad Flat Package, QFP） 封装、无引脚片式载体（Leadless Chip Carrier, LCC）封装和三维多芯片模块（Three-Dimensional Multichip Module, 3D-MCM）封装技术的特点及研究现状。分析了LTCC基板不同类型封装中影响封装气密性和可靠性的一些关键技术因素，并对LTCC封装技术的发展趋势进行了展望。

摘要：目的为揭示等离子体辅助抛光（Plasma-Assisted Polishing，PAP）过程中单晶金刚石表面微观形貌的演化机理，探明不同种类等离子体对复杂形貌的选择性刻蚀规律，并从原子尺度阐明其物理化学作用机制，以解决金刚石硬脆表面难以实现原子级平坦化的理论难题。方法采用反应力场分子动力学（ReaxFF MD）模拟方法，构建包含原子阶梯、圆锥凸峰和圆柱凹谷的（001）晶向单晶金刚石复杂表面模型，在室温及低能离子轰击条件下，对比分析氮（N）、氧（O）、氩（Ar）3 种等离子体的刻蚀行为差异。进一步建立9 种具有不同波峰高度（5~20 Å，1 Å=0.1 nm）和周期（5~20 Å）的二维正弦粗糙表面模型，定量研究氮等离子体刻蚀效率与形貌参数的关联性，并结合原子应变、去除率及粒子撞击通量统计分析微观去除机制。结果模拟显示，尽管去除方式（化学刻蚀、表面改性或物理溅射）不同，3 种等离子体均表现出一致的形貌选择性，优先去除凸峰和阶梯尖端，凹谷区域几乎未受影响。刻蚀效率与波峰高度呈正相关，与周期呈负相关；形貌越陡峭，去除效率越高。其中，波峰20 Å、周期5 Å 的模型平坦化效果最佳，刻蚀后表面粗糙度降至8.55 Å。原子结构分析表明，高陡度凸峰侧面暴露出更多具有高悬空键密度的（010）或（100）晶面，反应活性显著高于凹谷区域；同时，长周期模型凹谷处存在明显的粒子撞击遮蔽效应。结论单晶金刚石的形貌选择性刻蚀机制是宏观“几何遮蔽效应”与微观“表面曲率依赖的原子活性”协同作用的结果。PAP 技术对高频高陡度粗糙峰具有极高的去除选择性，但在修正低曲率长周期波纹时存在加工自限制现象。该研究结果明确了表面曲率对原子去除活性的决定性影响，为优化硬脆材料复杂曲面的确定性平坦化工艺参数提供了理论依据。