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可拉伸高分子光电器件的研究进展

可拉伸高分子光电器件的研究进展

摘要:可拉伸高分子光电器件是一类基于共轭高分子的独特器件，具备在承受机械应变时仍能维持其光电性能的能力，在可穿戴电子、可拉伸显示、生物医学传感等领域展现出广阔的应用潜力. 近年来，国内外学者对器件与材料设计进行了大量的探索，为其性能提升和应用拓展奠定了坚实基础. 本文以外在弹性与本征弹性2 个维度为切入点，深入探讨器件形态设计、材料结构调控以及薄膜组分优化等策略，总结并评述其重要成果. 最后，指出未来需要关注的重点研究方向，以克服商业化过程中面临的多重挑战，并展望可拉伸高分子器件的不断进步能为有机电子领域注入新的活力.
光电 2025年08月25日
宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻

宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻

摘要：碳化硅（SiC）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点，是高压大功率变换器中的关键器件之一。但SiC IGBT 存在导通电阻高、关断损耗大等缺点。针对上述挑战，对国内外现有的新型SiC IGBT 结构进行了总结。分析了现有的结构特点，结合新能源电力系统的发展趋势，对SiC IGBT的结构改进进行了归纳和展望。
光电 2024年04月29日
电子束光刻设备发展现状及展望

电子束光刻设备发展现状及展望

摘要：电子束光刻设备在高精度掩模制备、原型器件开发、小批量生产以及基础研究中有着不可替代的作用。在国外高端电子束光刻设备禁运的条件下，中国迫切需要实现高端国产化设备的突破。介绍了电子束光刻设备发展历程，列举了当前活跃在科研和产业界的3种设备（高斯束、变形束、多束）的主要厂商及其最新设备性能，并概括了国产化电子束光刻设备发展现状。通过国内外电子束光刻设备性能的对比，总结了国产化研发需要解决的关键性难题。其中，着重介绍了高端高斯电子束光刻设备国产化需要面临的技术挑战：热场发射电子枪、高加速电压、高频图形发生器、极高精度的激光干涉仪检测技术及高精度电子束偏转补偿技术。
光电 2024年05月15日
高速光子晶体面发射激光器研究进展

高速光子晶体面发射激光器研究进展

摘要： 光子晶体面发射激光器（PCSEL）利用二维光子晶体光栅的布拉格共振实现面发射激光，具有其独特的优势，包括单模性能、在片测试、高功率、低发散角等。相比垂直腔面发射激光器（VCSEL），PCSEL有将近两倍的有源区光限制因子，展现出高速运行的潜力。本文探讨了PCSEL的基本结构和工作原理，并详细分析了影响PCSEL激光器实现高速性能的关键因素。随后，文章系统地介绍了近年来研究者们为实现PCSEL高速性能所做的努力，重点聚焦于通过增强PCSEL的面内限制来缩小激光腔，并提供了相关的研究方向和指导。
光电 2025年02月21日
金刚石固态微波功率器件研究进展和展望

金刚石固态微波功率器件研究进展和展望

摘要：被誉为终极半导体材料的金刚石具有超宽的禁带宽度、超高击穿电场、高的载流子漂移速率、极高的热导率、极强的抗辐射能力等特性，在微波功率器件领域具有很好的应用前景。金刚石微波功率器件的研究近几年引起了广泛关注，文章总结了金刚石微波功率器件的研究进展，重点分析了目前主流的氢终端金刚石、表面氧化物终端金刚石和掺杂金刚石实现的微波功率器件的研究进展、面临问题和发展展望。
光电 2025年02月14日
集成电路引线框架用铜合金研究现状

集成电路引线框架用铜合金研究现状

摘要：中国电子信息产业发展迅速，集成电路已成为国民经济建设的重要基础产业之一。本文综述了集成电路引线框架用铜合金的发展现状， 梳理了引线框架用Cu-Fe-P，Cu-Cr-Zr，Cu-Ni-Si等合金体系的特性及多元微合金化对铜合金组织和性能的影响， 阐述了引线框架用铜合金带材的制备加工方法， 介绍了以水平连铸为核心的短流程生产新工艺的特点， 并展望了中国集成电路引线框架用铜合金的发展前景和方向。
光电 2025年05月13日
微晶氧化铝在薄壁陶瓷封装外壳上的应用

微晶氧化铝在薄壁陶瓷封装外壳上的应用

摘要:氧化铝陶瓷封装外壳的薄壁化有利于提升散热能力并降低外壳重量,但薄壁化在实际应用中存在可靠性隐患,尤其是在航空航天等严苛工况条件下.普遍认为氧化铝的强度和气密性是解决薄壁陶瓷封装外壳可靠性难题的关键,为解决这个难题,自主研发了微晶氧化铝陶瓷,并对陶瓷的抗弯强度和气密性进行了测试,以此设计为依据,采用微晶氧化铝制备出了外形尺寸1.6mm×1.2mm、壁厚0.15mm 的薄壁陶瓷封装外壳,可靠性验证合格,满足了新型电子器件的应用需求.
光电 2025年02月10日
稀土掺杂单色上转换发光纳米晶材料研究进展

稀土掺杂单色上转换发光纳米晶材料研究进展

摘要：稀土掺杂单色上转换发光纳米晶材料具有色纯度高、不易受其他信号串扰的特点，在生物检测和荧光编码领域展现独特的优势。本文主要对实现稀土纳米晶单色发光的途径以及稀土红、绿、蓝单色上转换发光纳米晶研究现状进行了较系统总结，主要包括：引人其他离子改变能量传递方式、选择合适的基质、包覆惰性壳层、引人第三种材料作为配体吸收杂峰发光。最后，对稀土单色上转换发光材料未来可能的研究和发展方向做了展望。
光电 2025年04月30日
硅基光子调制器研究进展

硅基光子调制器研究进展

摘要：光子调制器是光纤通信系统的核心器件，主要对光信号进行调制，实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展，硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件，基于硅工艺技术的千兆赫兹带宽调制器的实现，也为硅光子学的发展奠定了基础。目前，硅基光子调制器的调制速度已经超过了50GHz，基本满足了调制格式的带宽需求。但低驱动电压和低插入损耗的硅基光子调制器仍然是一个值得研究的领域，越来越多的研究机构加入硅基光子调制器的研究，使其取得了长足的进展。该文主要对国内外硅基光子调制器的研究进展进行分析，讨论了基于SOI材料、SiGe材料、Ge材料、铁电材料、有机光电材料、III-V族材料和石墨烯材料等硅基光子调制器的研究现状，并对相关调制器的性能进行了对比和分析，为未来继续研发高速率、低损耗的光子调制器提供了思路。
光电 2025年01月14日
半导体加工用金刚石工具现状

半导体加工用金刚石工具现状

摘要:总结分析了国内半导体加工用金刚石工具的发展现状。指出了国产与进口半导体加工用金刚石工具的差距,分析了产生差距的主要原因。认为需要国内企业从人员、设备、原料、环境、工艺等多个角度系统性提高产品质量和稳定性,也需要加强半导体产业上下游企业的沟通、配合,加强产学研合作,逐步提高我国半导体产业金刚石工具的整体技术水平,突破半导体产业装备、工艺、原辅料等关键领域的技术瓶颈。
光电 2025年03月21日