GaNP沟道功率器件及集成电路研究进展
                摘要:GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点,已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势,将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段,也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气(2DHG)的GaN基型器件的发展进程,论述了P型器件面临的技术难题,进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性,讨论了相关的GaN集成工艺平台,对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。            
            
         
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                