面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制
                摘要:基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。            
            
         
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                