响应范围可调的倍增型有机光电探测器进展

摘要:光谱响应范围反映了光电探测器可探测信号光的波长范围,决定了器件的适用场景和应用领域。倍增型有机光电探测器(PM-OPDs)有光谱响应范围可调特性,为其未来在不同场景中的高灵敏探测提供了关键支撑。本文通过介绍PM-OPDs 的工作机理,并分析调控器件光谱响应范围的方法,为光谱响应范围可调的PM-OPDs 的进一步研究工作提供实验依据和理论参考。首先,阐述了PM-OPDs 的工作机理,剖析光谱响应范围的重要影响因素。然后,分别介绍了宽响应和窄响应PM-OPDs 的研制方法。对于宽响应PM-OPDs,主要介绍了窄带隙材料甄选、三元策略、双层结构拓宽器件光谱响应范围的内在机制;对于窄响应PM-OPDs,以“载流子注入窄化”概念为核心,从材料甄选和器件结构两个维度分析了实现窄响应探测的方法。最后,梳理了光谱响应范围可调的PM-OPDs 的研究成果和进展,以挖掘提高器件性能更多潜在途径和方法。

笔记本电脑外壳材料及其专利技术发展趋势简析

摘要: 随着国民经济的发展,网络传输速度的升级,携带方便的电子产品已逐渐成为人们连接世界的桥梁。就办公性能而言,笔记本电脑相对于手机、平板的优势则更加明显。笔记本电脑已得到了广泛的应用。面对激烈的市场竞争,笔记本电脑外壳材料相关专利技术的申报和应用显得非常重要。笔者主要对笔记本电脑对外壳材料的实际要求以及外壳的发展趋势进行分析,并结合近年来笔记本电脑外壳相关专利的申报情况,对部分专利技术进行简要介绍。

单组分双波段电致变色材料及器件的研究进展

摘要:双波段电致变色器件可以选择性调控可见光和近红外波段透过率,在最大限度利用自然光照的同时有效阻隔太阳辐射热,从而显著降低建筑在照明和空调系统的能耗。相较于传统复合型电致变色材料,单组分双波段电致变色材料因其制备工艺简单和优异的电致变色性能,使其在建筑节能窗和汽车天幕领域展现出巨大的应用前景,也成为了电致变色领域的研究热点。最近开发了各种具有高电致变色性能的单组分双波段电致变色材料,为双波段电致变色应用的发展做出了重大贡献。本文系统地介绍和讨论了单组分双波段电致变色材料及器件的最新研究进展,并对该领域当前面临的关键科学问题与主要技术挑战进行了深入分析,最后对未来发展方向提出了建设性展望。

柔性电致变色材料的研究与发展

摘要:随着可穿戴电子器件的应用普及,柔性电子器件已经成为当前研究的热点。柔性电致变色器件因具有绿色环保、低成本、可大面积、适应性强和生产运输方便等优良特性,在新型智能显示、建筑智能窗、汽车后视镜、智能眼镜、可穿戴设备和军事伪装等众多领域得到广泛应用。从柔性电致变色结构出发,讨论了柔性衬底、电极材料、电致变色材料和电解质材料等功能层,指出了提升柔性电致变色器件性能的关键,明确了器件材料与结构的关系,指出其当前存在的问题并对未来的发展趋势做出展望。

磁场和超声波在沉铜技术中的应用研究进展

摘要:[目的]电子器件微型化与高性能化对铜镀层提出了严苛要求,传统电镀铜与化学镀铜工艺在沉积效率、镀层均匀性及综合性能方面都面临挑战。[方法]综述了磁场与超声波这两种物理场辅助技术在沉铜技术中的应用研究进展。探讨了两种物理场对离子传输、界面反应、结晶过程及镀层微观结构的调控机制。[结果]磁场主要通过磁流体动力学(MHD)效应有效强化传质、细化晶粒并改善镀层均匀性,甚至可实现微观结构的定向生长。超声波则凭借其空化效应与微射流作用,显著提高沉积速率、镀层致密性与结合力,并有效促进复合镀层中纳米颗粒的均匀分散。两种方法都能克服传统工艺的某些固有缺点。[结论]磁场与超声波辅助技术是提升沉铜镀层性能的有效途径,具有绿色、高效的特点,应用前景广阔。

基于液态金属对流的电子设备冷却研究进展

摘要:受益于液态金属优异的导热和流动性能,液态金属对流冷却为电子器件和设备的高热流密度热管理难题提供了新的解决方案。介绍了液态金属对流的传热和流动特性,相比于传统工质,液态金属的高热导率使得对流的总体热阻更低,因此产生更好的传热效果。总结了基于液态金属对流的驱动技术、复合式冷却技术和强化冷却技术的相关研究进展,简述了液态金属对流在电子设备冷却领域的应用现状,并展望了液态金属对流冷却的发展前景。

三维石墨烯晶体膜可控制备策略及其超级电容器的应用

摘要:三维石墨烯晶体膜具有高晶体质量、大比表面积和高导电性,成为理想的碳基超级电容器的电极材料。然而,传统石墨烯电极材料受限于表面活性位点数量和宏观尺度下的电化学体积效应,难以达到理论性能。为此,重点介绍通过高能束流(如CO2 激光和高能电子束)诱导技术制备宏观厚度的三维石墨烯晶体膜,并探讨其修饰与复合方法。在此基础上,详细阐述CO2 激光和高能电子束制备三维石墨烯晶体膜的基本原理及其可控制备策略。采用CO2 激光,通过调节激光参数和前驱体材料,能够实现石墨烯晶体膜的厚度调控和结构优化。高能电子束具有高穿透力和低反射特性,能够在宏观尺度下制备均匀的三维石墨烯薄膜。此外,还介绍了通过非金属原子掺杂、金属氧化物和导电聚合物复合等方法,进一步提升三维石墨烯晶体膜的电化学性能等方面的研究内容。在超级电容器应用中,三维石墨烯晶体膜表现出优异的体积比电容和循环稳定性,具有广阔的应用前景。然而,随着厚度的增加,三维石墨烯晶体膜的体积效应和离子传输效率等问题仍需解决,提出通过构筑梯度孔道和优化孔隙结构来增强离子传输能力的解决方案。最后展望了三维石墨烯晶体膜在商用超级电容器中规模化应用的机遇与挑战。

蓝宝石化学机械抛光液的研究进展

摘要:简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH 调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP 体系的研究进展,展望了蓝宝石CMP 体系未来的研究方向。

单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战

摘要:作为新一代超宽禁带半导体材料,单晶金刚石(SCD)凭借其优异的物理特性(禁带宽度5.5 eV,击穿场强9.9 MV/cm,热导率22 W/(cm·K)),被视为突破硅基集成电路性能极限的理想材料。然而,其极高硬度(莫氏硬度10)和极强化学惰性使其表面加工面临重大挑战,特别是晶圆级平坦化技术已成为制约金刚石集成电路发展的关键瓶颈。聚焦集成电路制造需求,系统评述了单晶金刚石抛光技术的最新进展,重点分析了机械类、高能束和多场耦合三大类抛光方法的材料去除机理、影响因素及局限性。机械类抛光(如机械抛光和超声波辅助抛光等)工艺过程简单,但硬对硬摩擦易引入表面损伤,难以实现亚纳米级抛光;高能束抛光(如激光抛光、离子束抛光和等离子体抛光等)利用高能粒子代替磨粒来抛光,这类抛光存在选择性差、热影响区深、高能粒子注入等问题,难以实现低亚表面损伤及亚纳米级平坦化;多场耦合抛光(如化学机械抛光和等离子体辅助抛光等)通过场间耦合效应实现表面平坦化,但抛光工艺复杂且速率较低。尽管现有技术在不同应用场景中取得了一定进展,但仍无法完全满足亚纳米级精度、低损伤、高速率的抛光需求。未来的研究应致力于开发新型抛光技术,结合多种抛光方法的优势,推动单晶金刚石在高端芯片制造领域的广泛应用。

我国人工智能芯片发展探析

摘要:人工智能(AI)芯片是支撑智能技术发展的核心硬件,其技术进步对国家科技创新、产业发展、经济增长具有重要意义。本文从云端智能芯片、边端智能芯片、类脑智能芯片3个方面总结了AI 芯片的国际发展趋势,分析了我国AI芯片的应用需求,从芯片设计、制造、封装、测试等方面梳理了相关产业与技术的发展现状及趋势。当前,国产AI芯片的性能、技术、产业链存在短板,亟需开展自主创新与产业协同;国产AI芯片开发面临高成本、长周期的挑战,亟需平衡融资压力并积累发展经验;国内AI芯片领域人才短缺,亟需提高培育质量并控制流失率。为此,论证提出了我国AI芯片的发展路径,即突破技术瓶颈、加速产业化、拓展国际化、实施市场扶持,重点采取技术创新和重点项目建设、新型芯片架构和开源产业生态建设、技术标准体系制定、“产教研”融合等举措,以推动我国AI芯片产业可持续和高质量发展。