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高温SOI技术的发展现状和前景

高温SOI技术的发展现状和前景

摘要：高温绝缘层上硅（SOI）技术突破了体硅半导体器件的高温困境，已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来，第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及，其中SiC 器件以其先天的耐高压、耐高温等特性，与高温SOI 器件是非常理想的搭配，适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景，为系统应用设计者提供了全新的拓展空间。在简述体硅半导体器件高温困境的基础上，综述了高温SOI技术的发展现况，并探讨了其未来的发展方向和应用前景。
光电 2024年04月29日
半导体材料闪烧机理及制备研究进展

半导体材料闪烧机理及制备研究进展

摘要：半导体材料作为工程材料和光电材料的重要组成部分,在新能源、通信电子、生物医疗、航空航天等领域具有广泛的应用前景。但半导体材料多为离子键或共价键化合物,采用传统烧结工艺制备致密陶瓷材料所需的烧结温度较高,保温时间较长,不可避免地会引起晶粒粗化及气孔残留,进而影响陶瓷材料的各项性能。目前,低温烧结制备半导体材料引起了研究人员的广泛关注,闪烧技术制备陶瓷材料成为其中的研究热点。本文立足理论与应用两方面,系统综述了半导体材料闪烧技术的研究进展,阐述了该烧结新技术在高性能半导体材料制备过程中的优势及应用前景,以期为闪烧技术的机理、工艺优化及应用拓展提供研究方向。
光电 2026年05月15日
紫外LED研究进展

紫外LED研究进展

摘要：氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400nm的紫外波段，可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发展迅速，器件性能不断提升。由于高Al组分AlGaN材料的固有特性，目前深紫外LED的外量子效率和功率效率仍有大量提升空间。综述了近年来AlGaN基紫外LED的研究进展，阐述了限制其性能的AlGaN外延质量、高Al组分AlGaN材料的掺杂效率、紫外LED量子结构、紫外LED光提取效率及可靠性等核心难题以及取得的重要研究进展。预计到2025年，深紫外LED的量产单芯片光输出功率可突破瓦级，功率效率有望提升至20%以上，寿命达到万小时级别。
光电 2024年05月15日
全球光芯片领域发展态势分析

全球光芯片领域发展态势分析

摘要：光芯片是未来新一代信息产业的基础设施和核心支撑。本文聚焦光芯片领域，采用“方向—定位—路径”的分析思路，通过产业环境、产业现状、专利态势和布局分析，厘清光芯片研发与产业化发展基础和条件，基于调研和专家咨询，把握未来技术和产业化前瞻性布局，找准未来发展方向。在此基础上，本文剖析我国光芯片发展存在的机遇及可能面临的风险挑战，提出相应的知识产权发展建议：１）梯次布局谋划未来产业发展，在高速率光芯片、车用激光雷达芯片、硅光电子芯片和ＶＣＳＥＬ激光器芯片等当前热门应用领域强链、补链，突破关键技术，在光计算、光量子等未来前瞻性应用领域突破技术瓶颈，积极引导产业布局；２）构建覆盖创新全链条全周期的光芯片产业知识产权服务平台；３）加强光芯片领域海外专利布局；４）引导光芯片创新主体构建多维度知识产权保护策略。
光电 2025年08月06日
热电转换器件的研究进展与挑战

热电转换器件的研究进展与挑战

摘要: 热电转换器件作为能实现电能与热能直接相互转换的功能器件, 在工业废热回收利用、深空深海电源、半导体制冷、双向精确控温等领域具有重要应用。综述了6 类热电转换器件的拓扑结构设计、连接界面控制、集成制造和热电转换性能提升策略等方面的研究进展, 内容包含基于块体热电材料的低温、中温和高温单级热电转换器件以及低-中温级联热电转换器件, 基于热电磁能源转换材料的热电磁全固态制冷器件, 以及基于人造倾斜结构复合材料的横向热电转换器件。同时, 简要评述了热电转换器件研究目前面临的诸多挑战, 如热电发电应用存在异质界面失稳、热电制冷应用存在材料加工和器件集成困难等。
光电 2024年04月28日
X射线诱导光致变色材料的机理与应用

X射线诱导光致变色材料的机理与应用

摘要：X 射线诱导光致变色材料(X-ray Induced Photochromic Materials, XP 材料)因具有辐射剂量依赖的变色性质,在国防安全、核能开发利用、工业探伤和医学成像等领域具有广泛的应用前景。近年来, 国内外科学家已发展了多种XP 材料, 深入探讨了其辐射变色机制, 并开展了特异性应用研究, 亟需综合论述其变色机理和应用领域。本文综述了X 射线辐射变色性质的材料体系, 并归纳其化学组成和变色特点, 对比了各种类型XP 材料的优缺点, 讨论了X 射线诱导光致变色的机理, 如色心形成和氧化还原反应等过程。最后, 介绍了XP 材料在X 射线探测器以及医学和工业中的潜在应用, 并展望了其未来的发展方向。本文对发展性质更优异、场景适用性更灵活的XP 材料后续研究具有重要意义, 可促进XP 材料的商业化应用进程。
光电 2026年05月08日
银纳米线柔性透明导电薄膜的制备

银纳米线柔性透明导电薄膜的制备

摘要：采用多元醇法制备了直径约40nm、长径比约300的银纳米线。以聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(polyethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethyleneterephthalate,PETG)膜为基底，采用旋涂法制备了银纳米线柔性透明导电薄膜，探究了不同辅助成膜剂对成膜性能的影响。发现以黄原胶为辅助成膜剂制备的银纳米线薄膜具有较理想的透明性和导电性；银纳米线分散液沉积密度对银纳米线薄膜的透明性和导电性有重要影响，当沉积密度为10mg/cm2时，银纳米线薄膜的透光率和导电性能最优；弯曲测试结果表明，银纳米线薄膜具有很好的柔韧性。
光电 2024年05月14日
铋基光催化材料压电性能的研究进展

铋基光催化材料压电性能的研究进展

摘要：光催化作为一种绿色、有效的高级氧化技术，在有机污染物的降解中得到了广泛研究。大多光催化材料由于其光生载流子的快速复合限制了其光催化性能的有效发挥。为了提高催化效率，催化材料的压电性受到越来越多的关注。其中铋（Ｂｉ）基材料作为一种新型的半导体催化材料，同时具有光催化活性和压电催化活性，可以将太阳能和机械能进行耦合，促进有机污染物的降解。然而，在Ｂｉ基压电光催化材料的设计和应用方面仍存在许多空白。综述了压电－光催化系统的组成和提高催化性能的基本机理，研究了增强Ｂｉ基压电－光催化材料的性能策略（元素掺杂、形貌调控、构建异质结等）。针对目前压电－光催化技术存在的挑战和发展前景，对Ｂｉ基光催化材料在环境及能源领域的发展前景进行了展望。
光电 2026年06月29日
高逼真3D光场显示关键技术

高逼真3D光场显示关键技术

摘要：详细总结了高逼真3D光场显示的关键技术及其基本原理，包括光场显示系统构建、光场显示控光技术和光场显示图像编码等，并详细阐述了它们在3D 光场显示技术中的作用。为使高逼真3D光场显示技术真正地得到推广应用，必须全面考虑各种因素，包括完善显示系统的构建、控光技术的优化和编码技术的改进。希望该综述能够为3D光场显示技术的研究和发展提供有益参考。
光电 2025年07月28日
镍基电极材料在超级电容器中的制备与应用

镍基电极材料在超级电容器中的制备与应用

摘要：Ni因其价格低廉和对环境友好，被视为具有发展潜力的超级电容器电极材料之一；且它与其他电极材料复合可以有效阻止团聚反应的发生，能大大改善材料的电化学性能。近年来Ni的（氢）氧化物与碳材料、聚合物等复合制备新的电极材料已经成为储能领域研究的热点。介绍了Ni的化合物作为电极材料储能的机制以及在复合电极材料中的应用，综述了近年来国内外报道的各类镍基复合电极材料的研究进展，并对其今后的发展趋势进行了展望。
光电 2024年04月28日