钼基合金的强韧化研究现状及展望
摘要:金属钼因其诸多优异的性能在各个工业领域都有良好应用前景，但钼本身结构特征所导致的本征低温脆性、化学元素掺杂所引起的非本征脆性和制备工艺引起的组织缺陷，限制了其广泛应用和深度加工，合金化是提高钼合金性能的主要方式。本文分析了金属钼的脆性来源，指出非本征脆性及制备工艺的革新是钼合金研究和开发的重点方向; 综述了现阶段钼合金的强韧化形式，总结了高强韧钼合金的发展前景。
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钼及钼合金焊接技术的研究进展及应用前景
摘要：由于钼及钼合金的焊接技术在新型事故容错燃料包壳管材制备中具有广阔的应用前景，因而，近年来备受国内外研究者的重视。钼及钼合金焊接的难点主要来源于两个方面：一是与钼及钼合金粉末冶金制造工艺有关。粉末冶金工艺制备的钼及钼合金的焊接接头存在气孔、裂纹和夹杂等缺陷，严重降低了焊接接头的性能。二是钼及钼合金本身具有的难熔金属特性。难熔金属的可焊性通常较差，由于杂质偏析和热影响区晶粒粗化导致焊合区的脆化。本文对钼及钼合金的常用焊接方法及研究现状进行了重点综述，并展望了其未来的发展趋势和焊接研究方向。
贵金属单原子催化剂的制备及其在CO、VOCs完全氧化反应中的应用
摘要:为有效提高负载型催化剂中贵金属的原子利用效率,贵金属单原子催化剂逐渐成为一个研究热点和前沿课题。我们针对单原子催化剂在催化氧化领域中的应用,综述了几种贵金属单原子催化剂的典型制备方法,包括原子层沉积法、湿法化学法、光化学辅助法、热解法等,并讨论了上述方法的优缺点。此外,对比传统贵金属负载型催化剂,我们重点讨论了贵金属基单原子催化剂在CO催化氧化、 挥发性有机化合物（VOCs）催化氧化、催化机理等催化氧化过程中的最新研究进展,尤其是贵金属基单原子催化剂在低温低浓度催化氧化过程中表现出的优异催化活性 抗水性和抗毒性,表明该类催化剂具备极大的工业应用潜力。最后，进一步从大规模工业应用角度探讨了单原子催化剂目前面临的挑战和可能的解决办法,期望可以为应用于催化氧化过程的高效、稳定的单原子催化剂的设计提供思路。
碳纳米管在高速列车电磁屏蔽领域应用研究展望
摘要：碳纳米管（CNTs）由于具有优异的物理化学性能和良好的改性空间，在高速列车电磁屏蔽领域具有良好的应用前景。然而碳纳米管不具有铁磁性，对于电磁波的直接吸收能力相对较弱，因此往往需要对碳纳米管进行改性后再使用。 结合高速列车这一特殊应用环境，总结了碳纳米管在电磁屏蔽领域的优势。简述了电磁屏蔽材料阻碍电磁波的机制，并综述了近年来CNTs应用于电磁屏蔽领域的研究进展，包括与铁磁性材料复配、化学镀或沉积金属镀层、与MXene复配、稀土元素改性，并对不同改性方法的作用机制进行了分析。最后对CNTs材料在电磁屏蔽领域未来的发展方向进行了总结和展望，提出获得性能更加优异的碳纳米管屏蔽体的新方法，可以从复合镀层、稀土元素改性、晶体化镀层等角度进行探索。
形状记忆高熵合金的研究进展与展望
摘要: 高熵形状记忆合金是将高熵概念引入记忆材料领域而发展起来的新型形状记忆合金,此举打破了传统形状记忆合金成分设计的界限,利用高构型熵概念对形状记忆合金的性能进行优化,具有广阔的研究前景。本文简述了高熵形状记忆合金的研究现状,从成分和性能两方面对高熵形状记忆合金进行分类,同时总结了高熵形状记忆合金的制备方法,简要讨论高熵形状记忆合金与传统形状记忆合金相变机理的不同之处,并对其性能和特性进行比较分析,最后基于对现存问题的分析提出研究展望,以期为今后高熵形状记忆合金的开发和应用提供帮助。
核电景气度持续提升，三代四代技术打开设备新空间
摘要：许多国家通过政策支持和技术发展，积极推进核电项目，以核电为核心的能源战略旨在减少对化石燃料的依赖，从而降低温室气体排放。华龙一号是我国后续核电发展的主要技术路线，截至2023年底，我国在建、已核准待建核电机工38台，其中21台为我国自主知识产权的华龙一号机组。我国具有完全自主知识产权的家科技重大专项高温气冷堆核电站示范工程 已商业化运行。小型模块反应堆技术的开发，为核电技术的灵活部署和应急电力供打开了新的市场。
行业技术升级加速应用渗透，直写光刻市场如日方升
摘要：光刻技术是将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板覆铜等材表面上微纳制造技术，可用来加工制造芯片、显示面板制造芯片、显示面板掩模版、PCB等。直写光刻目前最主要的应用领域是在PCB，在除掩模版制版外的其他泛半导体领域仍处于技术渗透阶段。在泛半导体领域，直写光刻技术受限于生产效率与精度等因素，目前还无法满足泛半导体业大规模制造的需求。直写光刻技术能满足高端PCB产品技术需求，逐渐成为 PCB制造中曝光工艺的主流技术方案。在新型显示领域，直写光刻可用于OLED显示面板制造过程中前段阵列工序的曝光艺环节，还在解决Mini/MicroMini-LED的芯片、基板制造及利用RDL再布线技术解决巨量转移问题有较好的优势。
先进封装加速迭代，迈向2.5D-3D封装
摘要：在以人工智能、高性能计算为代表的新需求驱动下，先进封装应运而生，发展趋势是小型化、高集成度，历经直插型封装、表面贴装、面积阵列封装、2.5D/3D封装和异构集成四个发展阶段。先进封装开辟了More-than-Moore的集成电路发展路线，能够在不缩小制程节点的背景下，仅通过改进封装方式就能提升芯片性能，还能够打破“存储墙”和“面积墙”。发展趋势由单芯片封装向多芯片封装发展，聚焦关键工艺。AI和高性能计算芯片的关键瓶颈在于CoWoS产能。先进封装景气度高于整体封装行业，未来向2.5D/3D进发。
可控核聚变：从科幻到商业
摘要：与核裂变相比，可控核聚变释放能量大，原料来源丰富，安全可靠、不产生放射性废物。目前世界上主流路线为磁约束装置托卡马克。我国目前有2个前期建设阶段项目，将为相关产业链提供重大机遇。可控核聚变产业链上游为原材料，包括第一壁材料钨、高温超导带材原料REBCO和氘氚燃料；核心设备包括超导磁体、第一壁和偏滤器。
无主栅OBB工艺从可选到必选，N型组件降本增效最优解
摘要：为进一步去银降本，光伏市场研发方向朝0BB（无主栅）技术推进，即采用铜丝焊带替代原有银主栅直接汇集细电流，并实现电池片之间的互连 ，串焊设备是实现0BB工艺的核心环节。国内0BB技术研究蓬勃发展，工艺实践具体路径多样化。
