铝型材挤压生产新技术与装备
摘要:文章介绍了几种新型挤压机，以及近年来国内采用的新型挤压润滑系统、等温挤压、CAE系统应用、封闭式模具碱洗系统、感应式模具加热炉等新技术和设备。
精品资源
耐热铝合金的研究及应用现状与展望
摘要:文章综述了航空航天、高压输电、核乏燃料贮存、石油钻探等主要领域用耐热铝合金的性能特点、开发及应用现状，对耐热铝合金应用前景进行了展望，并提出了我国耐热铝合金研发和产业化发展建议。
柔性电致变色材料的研究与发展
摘要：随着可穿戴电子器件的应用普及，柔性电子器件已经成为当前研究的热点。柔性电致变色器件因具有绿色环保、低成本、可大面积、适应性强和生产运输方便等优良特性，在新型智能显示、建筑智能窗、汽车后视镜、智能眼镜、可穿戴设备和军事伪装等众多领域得到广泛应用。从柔性电致变色结构出发，讨论了柔性衬底、电极材料、电致变色材料和电解质材料等功能层，指出了提升柔性电致变色器件性能的关键，明确了器件材料与结构的关系，指出其当前存在的问题并对未来的发展趋势做出展望。
线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用
摘要：作为制备半导体晶圆的重要工序，线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例，介绍了线锯切片技术的基本理论，特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理，并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料的影响。在此基础上，综述了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工中的应用和技术进展，并分析了线锯切片技术对碳化硅晶体表面质量和损伤层的影响。最后，本文指出了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工领域面临的挑战与未来的发展方向。
微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺
摘要：针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求，介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡，得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。
电镀铜技术在电子材料中的应用
摘要：电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点，因此，电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域。本文概括了几种常用电镀铜体系的特点，重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用。简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路（ULSI）铜互连领域的应用，并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术，包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述。
蓝宝石化学机械抛光液的研究进展
摘要：简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理，从磨料、pH 调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP 体系的研究进展，展望了蓝宝石CMP 体系未来的研究方向。
电子封装陶瓷基板表面镀金修饰与腐蚀机理
摘要：高可靠电子封装基板多通过镀Au进行表面修饰，形成保护层，从而避免表面导体的氧化和腐蚀。介绍了化学镀镍/浸金(ENIG)和化学镀镍/钯/浸金(ENEPIG)这两个主流镀金工艺，探讨了相应镀Au基板变色、氧化、腐蚀等问题的特征、过程和机理。Ni/Au 镀层腐蚀主要与Ni–Au扩散、Ni–P腐蚀、杂质腐蚀等因素有关；Ni/Pd/Au镀层的腐蚀主要由Au层缺陷、镀层剥离、有机污染等原因导致。归纳了镀Au基板的两类腐蚀模型：一类是干热条件下即可完成的氧化腐蚀，另一类是电解质溶液环境中发生的原电池腐蚀。
磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究
摘要：研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术，分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明，硅铝丝楔焊的可靠性更高；微变压器线圈压焊点的距离越大，腔体的压力越大，隔离电压越大；腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。
碳化硅器件挑战现有封装技术
摘要：碳化硅（SiC）器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）等基础上发展起来的，并一直都在演进，但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能，因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上，主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势，并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。
